10/95
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Produktionsstart 200-mm-Linie |
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08/96
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Qualifikation 16 Mbit DRAM (0,38 µm) |
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04/98
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Qualifikation 64 Mbit DRAM (0,25 µm) |
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09/98
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Qualifikation des ersten Logik-Chips (0,35 µm) |
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04/99
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Qualifikation des weltweit ersten 256 Mbit DRAM (0,20 µm) |
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09/99
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weltweit erstes qualifiziertes Produkt auf 300-mm-Wafer 64 Mbit DRAM (0,25 µm) |
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02/00
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Qualifikation der ersten Embedded Flash-Technologie (0,25 µm) |
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2002
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Dresden wird Infineon Technology Development Center im weltweiten DRAM-Fab-Cluster | |
05/03
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Qualifikation 256 Mbit DRAM in 110nm Technologie |
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08/04 |
Produktionsstart 130nm Kupfer-Technologie |
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10/04 |
Qualifikation 130 nm Embedded Flash-Technologie Übergang von Infineon Technologies Dresden 200mm zum Logik-Geschäft |
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04/06 |
Qualifikation 130 nm RF CMOS und 90 nm Logik-Technologie |
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Heute - Logik-Fabrik mit breitem Technologie- und Produktportfolio |